FinFET16_v2

Responsabile: Ing. Giovanni MAZZA

Il progetto FinFET16_v2 si propone di studiare le caratteristiche della tecnologia CMOS 16 nm in termini di prestazioni, consumo di potenza e tolleranza alle radiazioni per applicazioni di elettronica di lettura per rivelatori di particelle.

Le tecnologie CMOS con lunghezza di canale 16 nm o inferiori differiscono profondamente da quelle di nodi tecnologici precedenti in quanto i transistor non vengono più realizzati come strutture planari in cui il canale conduttivo tra il source ed il drain è controllato da un gate posto al di sopra di esso, ma come strutture tridimensionali in cui il gate circonda il canale su tre lati, permettendo così un migliore controllo della corrente drain-source.

Questa tecnologia, nata per realizzare microprocessori ad altissime prestazioni, offre grandi potenzialità ma anche grosse incognite in termini sia di prestazioni analogiche, sia soprattutto di tolleranza alle radiazioni. Da qui l’esigenza di unaa fase di R&D per studiare questo tipo di problematiche.

Il progetto coinvolge 4 sezioni INFN (Milano Bicocca, Padova, Pavia e Torino) e dell’EPFL di Losanna. Prevede sia la caratterizzazione sotto radiazione di singoli transistor, sia il progetto e la caratterizzazione di semplici circuiti di amplificazione del segnale e di misura di tempi di arrivo.

Ing. Giovanni MAZZA

INFN sez. di Torino
Via P.Giuria 1, 10125 TORINO
Tel +39 011 670 7356
giovanni.mazza@to.infn.it